A Samsung, a par da TSMC, é uma das líderes de mercado nos semicondutores, chips e processadores. Ainda assim, nos últimos anos a Samsung não tem conseguido tomar a dianteira devido a vários entraves que a deixariam atrás das principais concorrentes.
Em causa está a lentidão da produção em massa de novos semicondutores e a incapacidade de fornecimento em escala que muitos dos clientes exigiam. Agora, num certame dedicado aos componentes e semicondutores, a Samsung revelou os seus planos.
A Samsung quer voltar a liderar o segmento dos semicondutores
Mais concretamente, foi durante a última edição do certame Chinese IP and Custom Chip Ecological Conference que a Samsung divulgou a sua agenda para este setor. O mais interessante? A referência ao seu 3GAP a 3 nm com produção agendada para 2023.
Por outro lado, a maior rival sediada em Taiwan, a TSMC, fez saber que daria início à produção de componentes a 3 nm na segunda metade de 2022. Será uma diferença de seis meses que pode frustrar novamente as intenções da Samsung em liderar o segmento.
Até ao momento, contudo, a Samsung tem vindo a revelar vários detalhes do processo de produção em massa a 3 nm. Aliás, a gigante sul-coreana queria dar início a esta produção ainda em 2022 com a versão 3GAE (Gate-all-around Early).
Por 3GAE entenda-se a versão base, o protótipo para a produção dos demais componentes de acordo com o processo a 3 nm. Em seguida, a fabricante voltará as atenções para o 3GAP (3 nm Gate-all-around Plus), a versão aperfeiçoada.
Estes são os processos de produção dos chips e processadores de próxima geração. Trarão consigo um salto exponencial no poder de processamento, ao mesmo tempo que diminuirão o consumo energético face à atual geração de semicondutores a 5 nm.
A tecnológica sul-coreana revelou os seus planos para a produção de chips a 3 nm
Já de acordo com um porta-voz da Samsung, a tecnológica afirmou estar a discutir junto dos clientes a adesão e potencial comercial do primeiro processo - 3GAE. Esta versão inicial será aperfeiçoada pelo 3GAP, mas os primeiros lotes podiam chegar ainda em 2022.
Desse modo, a produção em massa dos semicondutores de acordo com o processo 3GAE deve começar já no próximo ano. A sua adoção dependerá dos clientes e parceiras da Samsung, mas são óbvios os grandes esforços feitos para agilizar a produção.
De acordo com a Samsung, o processo 3GAE, comparativamente como processo 7LPP, pode aumentar o desempenho até 35%, além de poder reduzir o consumo energético em até 50%. De igual modo, também reduzirão a área ocupada em até 45%.
Este tipo de produção de semicondutores trará consigo um novo patamar de poder de processamento para 2023. Até lá, contudo, podemos ver alguns primeiros chips e processadores a empregar este modelo de construção.
Até lá, contudo, teremos o padrão de construção a 4 nm, bem como uma versão melhorada do padrão atual de 5 nm. Isto significa que entre 2022 e 2023 teremos melhorias consecutivas no tipo de processadores fabricados pela Samsung.
Em síntese, é no padrão 3GAE a 3 nm que a Samsung quer recuperar o terreno perdido para a TSMC. No entanto, até lá, teremos novas versões dos processadores a 5 nm, bem como a introdução dos chips a 4 nm durante 2022.
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